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轉述:
一.離子束材料表面改質技術發展概述
*60年代離子植入技術首先在半導體元件上得到了應用，進而使用離子植入技術替代了傳統的熱擴散方法形成了微細加工技術，推動和促進了大規模積體電路的發展。
*70年代非半導體材料離子植入技術開始發展，首先英國哈威爾原子能研究中心發展了強流氮離子源，使氮離子束材料表面改質技術在各國得以很快的發展，幾十個氮離子注入中心在世界各地相繼建成。
*80年代以來，強流金屬離子源-MEVVA離子源、電漿沉浸式離子植入技術(PIII)等分別開始得到發展，進而促進和推動離子束材料表面改質技術應用和發展。
二.離子束材料表面改質系統之特性
(1).半導體離子植入技術
a.設備：離子源(主要產生B、P、As離子)、分析系統(主要為磁分析器)、加速系統(通常為200kV)、掃描系統(電掃描、機械掃描或混合掃描) 和注入靶室如圖所示。
b.特點：植入量和深度精確可控、純度高、大面積均勻植入、植入濃度範圍廣、植入離子種類多以及適合淺層改質、典型滲雜濃度為(1013~1015)ion/mm2。
(2).非半導體離子植入技術
b.特點：大劑量1017ion/cm2和大面積植入、離子種類多、植入對象廣泛、工具、模具和零件，基材包括金屬、陶瓷、聚合物等。
(3).其他離子束技術
a.離子束混合技術(IBM)：基材(或樣品)表面鍍上一層或多層薄膜(約幾百埃)，然後用幾百keV的惰性氣體(如Ar、Kr、Xe等)轟擊下，薄膜和基體界面上的原子間發生級聯碰撞和原子間輻射增強擴散。從而導致不同原子間相互混合和滲透，形成新的化合物和合金相。
b.離子束增強沉積技術(IBED)：再鍍膜過程中輔助離子束轟擊(見圖)， 達到沉積的膜緻密化、增強了膜與基體之間的黏附特性，可獲得較厚的(幾--幾十微米)改性層。
三.Beam-line vs. PBII
(1). Beam-line 系統
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